東芝・ローム・三菱電機が統合へ——世界2位連合が生まれた3つの理由

パワー半導体は、EVの航続距離、急速充電の速度、「AIデータセンターの電力効率」を直接左右する「電気の調節弁」だ。SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）という新材料への世代交代が進むなか、日本の大手3社が統合という決断を迫られた背景には、投資の重さと競争の構造変化がある。

パワー半導体とは何か、なぜEV時代に重要なのか

トランジスタは電気のスイッチだが、パワー半導体はその中でも大電流・高電圧を扱う専用品だ。半導体そのものの基礎は「半導体とは何か」で解説している。EVのモーターを回すインバーター、急速充電器の電圧変換、工場の産業モーター、鉄道の駆動システム、そして「データセンターの非常用電源・電源回路」まで、電気が変換される場所には必ずパワー半導体が入っている。

パワー半導体全体の世界市場は2024年に約525億ドル、2034年には約817億ドル規模に成長する見通しだ。成長を引っ張るのはEV向けSiCで、2030年に約103億ドル・年率約20%の拡大が予測されている。SiCはシリコン比でスイッチング損失を大幅に抑えられるため、同じ電池容量でもEVの航続距離が伸び、充電器を小型化できる。「EVと電池産業の全体像」で触れたように、EV普及はSiCを中心とするパワー半導体の需要拡大を構造的に生み出している。

なぜInfineonが首位に立ち、日本勢は分散していたのか

2024年のパワー半導体シェアは、Infineonが約17.4%で世界首位を占める。2位以下は差があり、STマイクロ・onsemi・Infineon・Wolfspeed・ロームの上位5社がSiCデバイス売上の約91.9%を握る。この寡占構造の背後にあるのは「垂直統合の差」だ。

Infineonはドレスデン拠点でSiCウェハーの内製化を進め、材料から最終製品まで1社でコストと品質を制御できる。一方、日本勢はそれぞれが得意分野に特化しながら協力してきたが、独立したまま分散投資を続ければ、SiCへの移行コストという「重さ」が個社の財務を圧迫するリスクが高まる。

SiC投資の重さを証明したWolfspeedの経営破綻

SiC基板で世界シェア約33.7%を持ち、200mmウェハーの量産ラインを世界で初めて稼働させたのがWolfspeedだ。同社は2025年に約46億ドルの債務を抱え、Chapter 11（米連邦破産法11条）による経営再建を申請した。工場への巨額投資とEV向け需要立ち上がりのズレが原因だ。Wolfspeedの破綻は業界に一つの現実を突きつけた事件だった。「SiCはシリコンより製造難度が高く、工場稼働率を上げるまでに長い時間がかかる——だから規模のない単独プレーヤーには資金が持たない」という現実だ。

ローム・三菱電機・東芝、3社それぞれの強みとは

ロームは2010年に世界で初めてSiC MOSFET（SiC製のスイッチ素子）を量産した先駆者だ。ドイツのSiCrystal（SiCウェハーメーカー）を買収し、基板から半導体デバイスまでの垂直統合を実現している。上流の材料を自社で押さえることで、材料費を安定させつつ技術開発を一貫させる。2023年12月には東芝と「ローム=SiC・東芝=Si」という役割分担での協業が経済産業省の認定を受け、総額3,883億円・最大1,294億円の助成を獲得している。

三菱電機はパワーモジュール（IGBT等を一体化した部品ユニット）で世界2位（Omdia調べ）、VSC型HVDC（高圧直流送電）向けパワーモジュールでは世界シェア首位を持つ。鉄道・産業・再生可能エネルギーという大型インフラ向けで圧倒的な実績があり、エネルギーシステムとしての知見が強みだ。2026年には熊本にSiC 8インチ対応の新製造ラインを稼働させ、SiCへの移行を本格化した。

東芝は2018年にNANDフラッシュ事業（現Kioxia）を分社後、パワーデバイスとディスクリート半導体（単機能の個別チップ）に経営資源を集中させてきた。加賀工場に300mm対応の製造棟を2024年に完成させ、低電圧MOSFETやIGBT（いずれも電力を切り替えるスイッチ素子）の生産能力を2021年度比2.5倍に引き上げた。東芝の強みはSiではなく、安定したIGBT量産と車載・産業用ディスクリートのラインナップにある。

2026年3月、なぜ3社は統合を決断したのか

2026年3月、東芝・ローム・三菱電機の3社はパワー半導体事業の統合協議について基本合意を発表した。3社合算の世界シェアは約1割に相当し、Infineonに次ぐ規模になる。

統合の背景には3つの構造的要因がある。第一は「投資規模の問題」だ。SiCへの全面移行には、ウェハーラインからデバイス製造・評価まで数千億円規模の設備投資が必要で、個社では維持が難しくなりつつある。第二は「中国メーカーの追い上げ」で、SiCでも成熟ノードと同様に中国国内メーカーが生産能力を急拡大しており、中長期的な価格圧力が高まる。

第三は「需要の本格化」で、EV普及に伴うSiC需要の拡大が2025〜2026年の調整期を経て加速フェーズに入るとの判断がある。統合すれば研究開発費を集中投資し、ローム（SiC材料）×三菱電機（モジュール・システム）×東芝（IGBT・車載ディスクリート）の得意分野を組み合わせた一貫製造体制が生まれる。

その後の続報を時系列で確認する。三菱電機の漆間啓社長は2026年7月、合弁会社の設立時期などの詳細を2026年度上期中に公表できるよう調整していると述べたと、Bloombergが報じた（報道ベース）。ただし本稿の更新時点（2026年9月26日）で、3社統合の詳細に関する正式発表は確認できていない。統合が最終的にどのような形でまとまるかは、現時点では断定できない。

SiCシェアで日本連合はどこに立てるか

SiCデバイスの市場では、STマイクロエレクトロニクスが2023年に32.6%で首位を占め、上位5社で約91.9%を握る。

日本連合が形成されても、SiCシェアで直ちにSTやInfineonを上回る保証はない。Wolfspeedが残した米国のSiC生産能力の空洞をどう活用するか、また需要の中心であるEVメーカー（欧米・中国）への供給関係をどう構築するかが次の焦点だ。一方で、「パワー半導体の基礎技術」を長年積み上げてきた3社の統合は、日本の半導体産業が「EV×電力インフラ」という新市場に本腰を入れたことを示す歴史的な転換点でもある。

この記事のまとめ

• パワー半導体市場は2034年に約817億ドル規模に拡大。EV・急速充電・データセンター電力が3大需要ドライバー。
• 世界首位はInfineon（約17.4%）。SiCデバイスはSTマイクロ（32.6%）が首位、上位5社で約9割を占める。
• ロームは世界初SiC量産（2010年）とSiCrystal買収で垂直統合。三菱電機はパワーモジュール世界2位・HVDC世界1位。東芝は加賀300mm工場で生産能力2.5倍増。
• Wolfspeedの経営破綻は「SiCは規模なしには戦えない」という現実を業界に示した。
• 2026年3月に基本合意した3社統合で、日本発の世界2位規模パワー半導体連合誕生を目指す。