InfineonがGaNを300mmウェハーで量産へ。11億ユーロを投じ2027年末に開始、チップ数は200mm比2.3倍

本稿は、Infineonのオーストリア法人が出した発表文（ドイツ語）を軸に、EE Times Japanとオーストリア・ドイツ語圏の報道を突き合わせました。Infineon本社の英語版プレスリリースは、ページ本文を取得できていません。数値はドイツ語の発表文で確認しています。［推測］は筆者の見方、［計算］は筆者の計算を指します。

Infineonはフィラッハに約11億ユーロを投じ、2027年末に300mmウェハーでのGaN量産を始める

発表文から確認できた事実を、項目ごとに並べます。

出どころは、いずれもInfineonの発表文です。

Infineonは、フィラッハにある既存のクリーンルーム（ちりやほこりを厳しく管理した製造室）と、既存・改修済みのインフラを使います。コストを抑えるための選択だと、発表文は書いています。生産能力は、ドイツのElektronikpraxisによると、市場の需要に合わせて増やす計画です。

雇用の数字には注意が必要です。発表文の約5,800人（オーストリア全体）と約4,800人（フィラッハ）は、現在の従業員数です。この投資で何人を新しく雇うのかは、発表文に出ていません。

補助の3億1900万ユーロは欧州委員会が承認した額で、オーストリア政府の正式決定は残っている

約11億ユーロはInfineonの投資額で、3億1900万ユーロは国の補助です。補助は投資額の約29%にあたります［計算：319÷1,100≒0.29］。ただし11億ユーロは「約」の数字で、補助の対象になる投資の範囲も発表文には書かれていません。29%は目安にとどまります。

補助の手続きは、発表文によると次のとおりです。欧州委員会が、欧州半導体法（European Chips Act、EUが域内の半導体生産を増やすために作った枠組み）に基づく国家補助として3億1900万ユーロを承認しました。そこから先の、オーストリアの経済・エネルギー・観光省による正式な助成決定は、期限内に出る見込みとされています。

資金の出し手は、ORF（オーストリア放送協会）の報道では、オーストリア連邦政府です。補助を出すのは加盟国で、欧州委員会はその補助を審査して承認します。加盟国が企業に補助を出すときに委員会の承認が要ることは、委員会が2025年2月20日に出したドレスデン工場の補助承認の発表からも確認できます。このときの金額は9億2000万ユーロでした。

欧州委員会がフィラッハの案件で出した個別の発表ページは、本稿の調査では見つけられていません。「最初の施設（first-of-a-kind）」として認定されたかどうかも、確認できていません。

「世界初」は、300mmウェハーでGaNを量産する施設に限った主張である

Infineonが「世界初」と呼ぶ対象は、GaNパワー半導体を300mmウェハーで大量に作る施設です。GaNの製品そのものや、300mmのGaNウェハーの試作を指してはいません。

試作の段階では、Infineonが2024年9月11日に、世界初の300mm GaNパワーウェハー技術を発表していました。フィラッハの既存の300mmシリコン量産ラインに組み込んだパイロットライン（試験的な製造ライン）で作った、という内容です。

一方、Texas Instruments（TI）も、2024年に会津工場でGaNの生産を始めた際に、同年前半に300mmウェハーでGaNを試作したと述べています。TIの量産は200mmです。つまり300mmのGaN試作は複数社が済ませており、「世界初」の差は量産施設という点にあります。

この「世界初」はInfineon自身の説明で、第三者による確認は、本稿では取れていません。月産で何枚のウェハーを処理するのかも、発表文には出ていません。

GaNはシリコンのウェハーの上に作るため、既存の300mmシリコン設備に載せられる

GaN（窒化ガリウム）は、シリコンより高い電圧に耐え、電気を速く切り替えられる材料です。SiC（炭化ケイ素）と並ぶパワー半導体の新材料で、SiCとの使い分けは「EVもデータセンターも、電気の“ムダ”を減らす半導体で動いている」で整理しています。下の図では、Si・SiC・GaNなどを4つの物差しで比べられます。

InfineonのGaNは、シリコンのウェハーの上にGaNの薄い層を成長させて作る「GaN-on-Si」方式です。素子の内部では、GaNの層の境目に電子が集まる薄いシート（2次元電子ガス）ができ、電流は横方向に流れます。EDNの技術解説は、この構造が100〜650Vの帯域で理論上の性能が高いとしています。

土台がシリコンなので、シリコン用の設備をそのまま使えます。Infineonは2024年の発表で、既存の300mmシリコン量産ラインにGaNの工程を統合したと説明しました。SiCのように専用の結晶を育てる必要がありません。SiCは結晶の成長が難しく、ウェハーが高価になります（前掲の記事で扱いました）。

シリコンのウェハーは、ロジックやメモリを作る業界で300mmが標準です。この大口径の設備と技術を、パワー半導体のGaNに転用できることが、今回の量産計画の前提になっています。

2.3倍は面積比2.25に近い値で、1チップあたりのコストを下げる要因になる

300mmウェハーの面積は、200mmの2.25倍です［計算：(300÷200)²＝2.25］。Infineonが示す2.3倍は、この面積比に近い値です。ウェハーの縁で捨てる部分の割合が小さくなるため、2.25を少し上回ると読めます［推測］。2.3倍が、どの大きさのチップを前提にした数字かは、発表文に書かれていません。

2.3倍は、ウェハー1枚から切り出せるチップの数です。良品の数は歩留まり（作ったチップのうち、合格する割合）で決まります。300mmのGaNの歩留まりは、Infineonから示されていません。

コストについて、Infineonは2024年の発表で次の見通しを書いています。量産が進めば、RDS(on)（オン抵抗、スイッチが入っているときの電流の通りにくさ）が同じ条件で、GaNのコストがシリコンと同等になるというものです。「同等になる」は量産が進んだ後の目標で、いつ達成するかは書かれていません。

GaNが今求められるのは、AIデータセンターの配電が800V直流へ移るからである

データセンターのAIサーバーを収めるラック（縦長の棚）は、消費電力が急増しています。1棚の電力密度の推移は、「AIサーバーラックが1棚120kWになった」で扱いました。電力問題の全体像は、「AIの本当のボトルネックは、半導体ではなく電気だった」にあります。

電力は電圧と電流の積なので、電圧を上げると同じ電力を細い電線で送れます。NVIDIAは800Vの高電圧直流（HVDC）の構想を進めており、Navitasの発表によると、1MW級のラックを想定しています。54Vの配電と比べて、銅線を最大45%細くできるという説明です。

800Vのままではサーバーの基板に入れられないので、途中で50V、12V、6Vへ下げる変換段が要ります。Infineonは2026年10月21日、この中間バスコンバーター（IBC）の段でNVIDIAとGaNの協業を広げたと発表しました。報道によると、GaNはこのIBC段を最大1MHzで切り替えられます。

GaNが採用される電源の段は、ルネサスの記事「ルネサスのGaN、AIデータセンター電源向けに両面冷却で実装面積57%減」でも詳しく読めます。

市場予測も出ています。Infineonの発表文は、Yole Groupの2026年のレポートを引いて、GaNパワー半導体の市場が2031年に約35億ドル、2025年から2031年の年率が約35%になると書きました。Yoleの2025年の予測は、2024年の3.55億ドルから2030年の約30億ドルへ、年率約42%でした（Semiconductor Today）。年率35%から逆算すると、2025年の市場は約5.8億ドルです［計算：35億÷1.35⁶≒5.8億］。

11億ユーロの投資額は、2031年の予測市場と同じ桁にあります。Infineonは、市場が予測どおりに育つか、300mmによる価格低下で採用が広がることを織り込んでいると読めます［推測］。

InfineonのGaN戦略は、買収、300mmの試作、量産投資の順に進んだ

今回の発表は、3年がかりの流れの上にあります。

出どころは順に、買収完了の発表、2024年の発表、Power Electronics News、heiseです。

買収で、GaN専門家は450人、GaNの特許群は350超になりました。heiseは、ドレスデンの新工場がシリコン、GaN、SiCのパワー半導体を作ると伝えています。Infineonの会社全体は、「企業分析の記事」にまとめました。

筆者の見方では、この順序で投資のリスクを段階的に下げています。技術と特許を買収で得て、既存のシリコン設備で試作し、補助を得てから量産に投資する流れです［推測］。

競合は200mmで増産しており、TSMCの撤退で製造委託先の再編が進んでいる

TIは、会津工場で200mmのGaN-on-Siを量産し、社内の生産能力を4倍にしたと2024年10月に発表しました。2030年までに社内製造を95%超にする方針です。300mmへ工程を移せる、とも述べています。

ファブレス（設計に特化し、工場を持たない会社）のNavitasは、事情が違います。TSMCが2025年7月に、2027年7月末までのGaN受託製造からの撤退を通知しました。理由は、中国勢の価格圧力です。NavitasはPSMC（力晶積成電）の新竹の200mmラインで、100〜650VのGaN ICを作る計画を発表しました。

日本勢では、ルネサスが2026年9月30日に650V GaNのサンプル提供を始めています。東芝・ローム・三菱電機の統合は、SiCが中心の話です（「東芝・ローム・三菱電機が統合へ」）。

自社工場を持つInfineonとTIは、工程を300mmへ移すかどうかを自社で決められます。委託先に頼る会社は、委託先が300mmのGaNに対応するまで200mmに残るはずです［推測］。TSMCの撤退期限（2027年7月末）は、Infineonの生産開始（2027年末）の約5か月前です［計算］。委託先の再編と300mmの立ち上げが、同じ時期に重なります。

次に確認するのは、補助の正式決定、2027年末の立ち上げ、顧客名である

Infineonの発表文だけでは、判断に足りない点が残っています。

• オーストリアの経済・エネルギー・観光省が、3億1900万ユーロの助成を正式に決めるか
• 2027年末に、予定どおり生産を始められるか。月産の能力と増強の時期を示すか
• 300mm GaNの歩留まりと価格を、どの段階で開示するか
• 採用する顧客を発表するか。2025年第4四半期のサンプルを受けた会社が、量産品の採用に進むか
• TIやNavitasの委託先が、300mmのGaNに対応するか

ドレスデンでは、欧州委員会の補助承認が2025年2月、開所が2026年7月でした。この間は約16か月です［計算］。半導体そのものの基礎は、「半導体とは、電気を「通す・通さない」を切り替えられる物質」から読めます。

この記事のまとめ

• Infineonは2026年10月27日、フィラッハに約11億ユーロ（2034年まで）を投じ、300mmウェハーでGaNを量産する施設を整備すると発表した。生産開始は2027年末である。
• 欧州委員会が3億1900万ユーロの国家補助を承認した。オーストリアの経済・エネルギー・観光省による正式な助成決定は、まだ出ていない。
• 「世界初」は300mmでのGaN量産施設に限った主張で、Infineon自身の説明である。300mmのGaN試作は、TIも2024年に済ませている。
• 2.3倍は、300mmと200mmの面積比2.25に近い値である。歩留まり、月産能力、顧客名は発表文に出ていない。
• 次の確認点は、補助の正式決定、2027年末の立ち上げ、歩留まりと顧客の開示である。