サムスン電子DS部門のチェ・ジャンソク氏は2026年9月1日、次世代HBM「HBM5」と新方式「zHBM」のロードマップを公開したと複数の韓国メディアが報じました。台北のSEMICON Taiwan 2026での発表で、HBM4世代でSK hynixに先行を許したサムスンの巻き返し策です。

サムスンのメモリ事業がAI時代にどう立ち位置を変えてきたかは「メモリ王者でありながら、AI時代に追う立場になった巨人」で扱いましたが、今回の発表はその巻き返しに向けた具体的な技術目標です。半導体そのものの基本的な仕組みは「半導体とは、電気を「通す・通さない」を切り替えられる物質——それだけの性質が世界を動かしている」で解説しています。

ひとことで言うと(初心者向け)

AIチップの隣には、大量のデータを高速でやり取りする特別なメモリ『HBM』が積まれています。サムスンは、次の世代の『HBM5』で性能を2倍にし、さらにメモリをAIチップの真上に直接乗せる新しい方式『zHBM』も披露しました。SK hynixに先行された分を、次の世代で取り返そうとしています。

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構造で言うと(投資家向け)

Samsung DS部門(Choi Jang-seok氏)がSEMICON Taiwan 2026(2026年9月1日)でHBM5・zHBMロードマップを発表と韓国4媒体が報道。HBM5目標:HBM4E比性能2倍・電力効率+20%・熱抵抗-20%。ベースダイはSamsung Foundry 4nm→2nmへ移行計画。zHBM目標:HBM4E比性能8倍・電力効率3倍(比較基準に業界内で指摘あり)。量産時期『2028年』は一部報道のみで記事本文に明記なし。Samsung公式ニュースルームでの単独発表は確認できず、複数メディア報道に基づく。

HBM5は何が変わるのか——性能2倍・電力効率20%改善の中身

とは、AIアクセラレータの隣に積み重ねて置かれる、広帯域を実現するメモリです。Korea Heraldなど複数の韓国メディアの報道によれば、サムスンはHBM5の目標値を公開しました。現行のHBM4E比で性能2倍、電力効率(パフォーマンス/ワット)を20%改善、熱抵抗を20%低減するという内容です。同じ電力でより多くのデータを、より発熱を抑えて処理できることを目指しています。

なぜベースダイを4nmから2nmに変えるのか

ベースダイとは、HBMの積層メモリの下に置かれ、GPUなど外部との入出力を制御するロジックチップです。報道によれば、サムスンはこのベースダイを、Samsung の4nmプロセスから2nmプロセスへ移行する計画です。を微細化するほど、同じ面積により多くの回路を詰め込め、消費電力あたりの処理能力を高めやすくなります。

初心者向け
HBMは、記憶を担う層を何枚も積み重ねた「メモリの塔」のような構造をしています。その一番下の土台(ベースダイ)を最新の技術で作り直すことで、塔全体の性能を底上げしようとしているのです。

「zHBM」とは何か——メモリをアクセラレータの真上に積む発想

zHBMとは、AIアクセラレータの真上にメモリを直接積層する新方式です。従来のHBMはアクセラレータの隣に並べて配置されますが、zHBMは真上に重ねることで、配線をさらに短くする狙いがあります。EMSNowなどの報道によれば、サムスンはzHBMでHBM4E比の性能8倍、電力効率3倍という目標を示しました。

ただし、この「8倍」がどの条件を基準にした数値かについては、一部の分析メディアから比較基準の詳細が不明瞭だとの指摘もあります。帯域幅や測定条件が公式には開示されていないため、数値をそのまま鵜呑みにせず、今後の詳細発表を待つ必要があります。

サムスンはHBM4でなぜSK hynixに後れを取ったのか

HBM4世代では、SK hynixが先行して量産・供給を進めてきました。SK hynix側の事情は「普通のメモリが儲かりすぎて、SK hynixは最先端HBM4への転換を遅らせ始めた」で扱っています。

HBM4の供給構造がNVIDIAの認定を軸にどう変化したかは「HBM4は「認定」を通らないと1個も売れない——NVIDIAが独占させるはずのメモリを3社に開いた日」で扱いました。サムスン・Micronがシェアを取り戻した経緯は「AIメモリ61%独占が崩れた——NVIDIA最新GPUでサムスンとマイクロンが返り咲いた事情」で解説しています。

なお、SK hynixも同じSEMICON Taiwan 2026の場で、HBM内部に演算機能を持たせる「カスタムHBM」構想を発表したとDIGITIMESが報じました。AIエージェントの推論性能を最大5.15倍改善できるとする内容で、サムスンだけでなくSK hynixも次世代HBM戦略を競い合っている構図が浮かびます(報道ベース)。

HBM5はいつ量産されるのか

一部の報道では2028年頃という時期が言及されています。しかし、今回確認できたKorea Herald・Korea Times・Business Koreaの記事本文には、量産時期に関する明確な記載は見当たりません。Samsung公式ニュースルームでの単独発表も、2026年9月時点で確認できていません。確定した情報としてではなく、今後の続報を待つべき論点として扱う必要があります。

TrendForceなど英語メディアの一部は、HBM5の量産を2028年頃、zHBMを2029年以降と報じています。ただし、いずれも報道ベースの見通しであり、サムスンの公式発表ではない点に注意が必要です。

この記事のまとめ

  • サムスン電子DS部門のチェ・ジャンソク氏は2026年9月1日、SEMICON Taiwan 2026でHBM5・zHBMのロードマップを公開したと複数の韓国メディアが報じた。
  • HBM5の目標値は、HBM4E比で性能2倍、電力効率20%改善、熱抵抗20%低減。
  • ベースダイをSamsung Foundryの4nmプロセスから2nmプロセスへ移行する計画と報じられている。
  • zHBMはアクセラレータ直上にメモリを積層する新方式で、HBM4E比で性能8倍・電力効率3倍を目指すとされるが、比較基準には分析メディアから指摘もある。
  • HBM5の量産時期は一部報道で2028年頃とされるが、確認できた記事本文には明確な記載がない。

この記事のまとめ

  • サムスン電子DS部門のチェ・ジャンソク氏は2026年9月1日、SEMICON Taiwan 2026でHBM5・zHBMのロードマップを公開したと複数の韓国メディアが報じた。
  • HBM5の目標値は、HBM4E比で性能2倍、電力効率20%改善、熱抵抗20%低減。
  • ベースダイをSamsung Foundryの4nmプロセスから2nmプロセスへ移行する計画と報じられている。
  • zHBMはアクセラレータ直上にメモリを積層する新方式で、HBM4E比で性能8倍・電力効率3倍を目指すとされるが、比較基準には分析メディアから指摘もある。
  • HBM5の量産時期は一部報道で2028年頃とされるが、確認できた記事本文には明確な記載がない。
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よくある質問(FAQ)

Q.HBM5は何が変わるのですか?+

複数の韓国メディアの報道によれば、サムスンが公開した目標値は、現行のHBM4E比で性能2倍、電力効率(パフォーマンス/ワット)を20%改善、熱抵抗を20%低減するというものです。同じ電力でより多くのデータを、より発熱を抑えて処理できることを目指しています。

Q.なぜベースダイを4nmから2nmに変えるのですか?+

ベースダイとは、HBMの積層メモリの下に置かれ、GPUなど外部との入出力を制御するロジックチップです。報道によれば、サムスンはこのベースダイをSamsung Foundryの4nmプロセスから2nmプロセスへ移行する計画です。プロセスを微細化するほど、同じ面積により多くの回路を詰め込め、消費電力あたりの処理能力を高めやすくなります。

Q.「zHBM」とは何ですか?+

zHBMとは、AIアクセラレータ(GPUなど)の真上にメモリを直接積層する新方式です。報道によれば、サムスンはHBM4E比で性能8倍、電力効率3倍という目標を示したとされています。ただし、この「8倍」がどの条件を基準にした数値かについては、一部の分析メディアから比較基準の詳細が不明瞭だとの指摘もあり、数値の解釈には注意が必要です。

Q.HBM5はいつ量産されますか?+

一部の報道では2028年頃という時期が言及されていますが、今回確認できた韓国メディア各社の記事本文には、量産時期に関する明確な記載は見当たりません。TrendForceなどの英語メディアは、HBM5の量産を2028年頃、zHBMを2029年以降と報じていますが、いずれも報道ベースで、サムスンの公式発表ではありません。確定した情報としては扱わず、今後の続報を待つ必要があります。

用語集

HBM/ High Bandwidth Memory
DRAMを積み重ねて広帯域にした高性能メモリ。AI半導体とセットで使われる。
ファウンドリ/ foundry
他社が設計した半導体を、受託して製造する工場。代表はTSMC。
ノード(プロセス)/ process node
製造プロセスの世代を表す呼び名(例:3nm)。小さいほど高性能・省電力になりやすい。

参考資料・引用元

  1. Samsung unveils HBM5, zHBM roadmap at SEMICON Taiwan報道
    Korea Herald(2026-09-01)— 使用箇所: 講演日(2026年9月1日)、講演者Choi Jang-seok氏、HBM5目標値(性能2倍・電力効率+20%・熱抵抗-20%)、zHBM目標値(性能8倍・電力効率3倍・熱抵抗75〜90%削減)
    https://www.koreaherald.com/article/10858907
  2. Samsung showcases chip 3D architecture strategy at SEMICON Taiwan報道
    Korea Times(2026-09-01)— 使用箇所: zHBMの性能8倍・電力効率3倍という数値の裏付け
    https://www.koreatimes.co.kr/business/companies/20260901/samsung-showcases-chip-3d-architecture-strategy-at-semicon-taiwan
  3. Samsung HBM5 roadmap coverage報道
    Business Korea(2026-09-01)— 使用箇所: 同日のSK hynix講演との対比に関する報道
    https://www.businesskorea.co.kr/news/articleView.html?idxno=275979
  4. サムスン、SEMICON TaiwanでHBM5ロードマップを公開報道
    財経新聞(2026-09-02)— 使用箇所: HBM5目標値(性能2倍・電力効率+20%・熱抵抗-20%)の日本語報道での裏付け、ベースダイ4nm→2nm移行
    https://www.zaikei.co.jp/article/20260902/868302.html
  5. Samsung Unveils Memory Roadmap at SEMICON: HBM5 Targets 2x HBM4E Performance, zHBM 8x Boost調査会社
    TrendForce(2026-09-01)— 使用箇所: サムスンがSEMICON TaiwanでHBM5(性能2倍・電力効率+20%)とzHBM(性能8倍・電力効率3倍)のロードマップを発表と報道。HBM5の量産は2028年頃、zHBMは2029年以降との見通しも記載(報道ベース、サムスン公式発表ではない)
    https://www.trendforce.com/news/2026/09/01/news-samsung-unveils-memory-roadmap-at-semicon-hbm5-targets-2x-hbm4e-performance-zhbm-8x-boost
  6. SK hynix outlines custom HBM strategy for AI agent era at SEMICON Taiwan調査会社
    DIGITIMES(2026-09-01)— 使用箇所: SK hynix幹部Hoshik Kim氏が2026年9月1日のSEMICON Taiwan 2026で、HBM内に演算機能を持たせる「カスタムHBM」構想を発表し、LLM推論性能を最大5.15倍改善できるとした報道。サムスンのHBM5・zHBM発表と同日・同会場での競合発表(報道ベース)
    https://www.digitimes.com/news/a20260901VL220/sk-hynix-hbm-capacity-performance-ai-agent-semicon-taiwan.html

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