そりゃ世界シェア7割になるわ——ウェハー200枚を同時に焼く縦型炉、KOKUSAI ELECTRICの正体

半導体チップは、ウェハーの上に薄い膜を何十層も積み重ねて作られます。特に3D NANDは、絶縁膜と導電膜を200層を超えて積み重ねる構造で、その成膜工程を担う装置が量産の鍵を握ります。「成膜装置の全体像」と組み合わせて読むと、この会社の位置づけが鮮明になります。半導体づくりの全体像は「半導体とは何か」も参考になります。

順に事実を並べていくと、「そりゃそうなるわ」と納得できるはずです。

KOKUSAI ELECTRICとはどんな会社か

KOKUSAI ELECTRICとは、半導体製造に使うバッチ式成膜装置を主力製品とする日本の装置メーカーです。本社は東京（千代田区）、製造拠点は富山県にあります（KOKUSAI ELECTRIC公式）。

もとは日立グループの「日立国際電気」として映像伝送や通信機器なども手がける複合企業でした。2018年、米プライベートエクイティのKKRが半導体装置事業を取得し、KOKUSAI ELECTRIC Co., Ltd.として分離独立させました。2023年10月には東京証券取引所プライム市場に上場し（証券コード6525）、半導体装置専業メーカーとして単独で資本市場と向き合う体制を整えました（東洋経済オンライン、2025年11月）。スリム化と専業特化がKKR傘下での変革の核心です。

バッチ式縦型炉とは何か

バッチ式縦型炉とは、チップに薄い膜を積む成膜工程で使う装置です。縦に立てた石英管（炉心管）の中に、100〜200枚のウェハーをボートと呼ばれる台車に並べて一括で炉内に入れ、温度や圧力を精密に制御しながら膜を積みます（KOKUSAI ELECTRIC公式）。

一枚ずつ処理する「枚葉式」に比べ、バッチ式は大量のウェハーを同時処理できるためスループット（単位時間あたりの処理枚数）が大きく有利です。一方、炉内すべてのウェハーに均一な膜厚を確保する難しさがあります。KOKUSAI ELECTRICは炉内のガス流量制御と温度分布を精緻に管理し、100〜200枚全てに均一な薄膜を形成する技術を長年磨いてきました。この均一性の実現がバッチ式縦型炉の競争力の源泉です。

なぜ3D NANDにバッチ式縦型炉が必要なのか

3D NANDは、セルを垂直に積み重ねることで容量密度を高める方式です。キオクシアの第10世代（BiCS10）は332層に達しています（Kioxia公式、2025年2月）。この積層構造を作るには、シリコン窒化物とシリコン酸化物の絶縁膜を交互に何十〜何百回も成膜する必要があります。——ウェハー200枚を同時に、332層分ひたすら焼く。そりゃ世界シェア7割になるわ、という話です。

バッチ式縦型炉は、多数のウェハーをまとめて処理しながらこの超薄膜を均一に積める点で不可欠な存在です。特にバッチALD（原子層堆積法）は、「ALDの仕組み」で解説しているように1原子層ずつ確実に積める精度をバッチ式の生産性と組み合わせた最先端の成膜手法です。高アスペクト比の深い穴の側壁にも均一に膜が形成できる点が、3D NANDのチャネルホール内壁の絶縁膜形成で重宝されます（KOKUSAI ELECTRIC公式「強み」ページ）。

DRAMでも同様の事情があります。キャパシタの絶縁膜には、リーク電流を抑えるために酸化ハフニウム（HfO₂）などの高誘電体薄膜を使います。これも高アスペクト比構造への精密成膜が必要で、バッチALDの得意とする領域です。積層数が増えるほど、装置の使用回数が増える構造になっています。

競合との違いと市場での位置付け

成膜装置全体を見ると、米アプライドマテリアルズ（AMAT）・米Lam Research・東京エレクトロン（TEL）の3社が圧倒的なシェアを持ちます。しかしバッチ式ALD装置という分野では、KOKUSAI ELECTRICが世界シェア約70%を握る独占的な存在です（東洋経済オンライン、2025年11月）。「TELとの棲み分け」は明確で、TELが枚葉式の成膜・洗浄でリードする一方、KOKUSAIはバッチ式量産ラインに特化しています。

急速熱処理（RTP）装置では、AMATとMattsonを加えた3社で世界シェア約77%を占めます（Intel Market Research、2026年）。RTPはイオン注入後のアニール（熱処理）などに使われる工程で、成膜と並ぶもう一つの事業柱です。

成膜装置市場の全体像は「成膜装置の解説記事」で整理しています。KOKUSAI ELECTRICはそのバッチALDという特定領域に特化することで、世界最大手に伍する競争力を持ちます。

AI半導体の需要増とKOKUSAI ELECTRICへの影響

AI半導体の普及は、3D NANDとDRAMの生産拡大を加速しています。「3D NANDの積層競争」で述べたように、各社が332層を超えて400層・500層へ向かう競争は、バッチ成膜の工程数の増加を意味します。工程数が増えるほど、KOKUSAI ELECTRICの装置が必要になる回数も増えます。

FinFETからGAAへのロジックトランジスタ（電流のオンオフを切り替える素子）の進化でも、高アスペクト比構造への精密成膜がより重要になります。KOKUSAI ELECTRICは「バッチ成膜装置と枚葉トリートメント装置で世界トップクラスのシェア」と公式で表明しています。同社は、この成長トレンドの直接的な受益企業の一つです（KOKUSAI ELECTRIC公式「強み」ページ）。

装置メーカーは半導体設備投資サイクルの波に業績が左右されやすいというリスクはあります。しかし3D NANDの多層化・DRAM微細化・ロジックGAA移行という3つの長期トレンドは、バッチ成膜装置の更新需要を生む構造的な後押しです。

ここまで見れば、そりゃ世界シェア7割になるわ、と言うほかありません。

この記事のまとめ

• KOKUSAI ELECTRICは元・日立グループ。2018年にKKRが半導体装置事業を取得して独立させ、2023年東証プライム上場（証券コード6525）。
• バッチ式ALD・LP-CVD縦型炉で世界シェア約70%。1回に100〜200枚のウェハーを同時に成膜し、量産ラインのスループットを支える。
• 3D NANDの絶縁膜積層やDRAMキャパシタ絶縁膜など、高アスペクト比構造への精密成膜が主用途で、積層数の増加が装置需要の増加に直結する。
• 成膜装置全体ではTEL・AMAT・Lamが主流だが、バッチALDという特化領域でKOKUSAIが圧倒的な市場地位を持つ。
• AI需要が3D NAND・DRAMの設備投資を拡大させ、バッチ成膜装置への需要が中長期で増加する構造的追い風がある。