キオクシア、NANDでDRAM不足を穴埋め——独自フラッシュ「XL-FLASH」のCXLモジュールで容量2倍・性能3割増へ

DRAMとNANDの不足がなぜ同時に起きるのかは「DRAMとNANDの不足が同時に起きているのに、仕組みがまるで違う」で扱いましたが、キオクシアはこの不足に、NAND技術を使った独自の切り口で挑もうとしています。

なぜキオクシアはNANDでDRAM不足を埋めようとしているのか

AI需要の急増によって、サーバーの主記憶に使われるDRAMの価格が高騰し、供給が逼迫しています。Samsung・SK hynix・Micronのメモリ大手3社は、DRAMやHBMを軸にこの需要に応えようとしています。

これに対しキオクシアは、NAND型フラッシュメモリを主軸とする企業です。自社の強みであるNAND技術をサーバーのメモリ拡張に応用することで、DRAM不足の一部を代替する独自路線を打ち出しました。半導体そのものの基本的な仕組みは「半導体とは、電気を「通す・通さない」を切り替えられる物質——それだけの性質が世界を動かしている」で解説しています。

XL-FLASHとは何か——DRAMとの速度差はどれくらい縮まったのか

XL-FLASHとは、キオクシア独自の低遅延NAND型フラッシュメモリです。KIOXIA公式の発表によれば、SLC（1セルに1ビットだけを記録する動作モード）で使用した場合のリードレイテンシは5マイクロ秒以下、書き換え耐久性は15万回以上です。

CXLモジュール「XL1」はサーバーでどう使われるのか

XL1シリーズは、XL-FLASHをCXL経由で接続するメモリ拡張モジュールです。CXLがサーバーのメモリ制約をどう外すかは「AIの長文処理で80GBが溢れる——CXLがサーバーのメモリ制約を外した仕組み」で解説しています。

キオクシアは2026年9月3日の国内技術説明会で、DRAMの一部をXL1で置き換えることで、サーバーのメモリ容量を2倍、性能を3割高められると説明したと報じられています。8月3日の発表は米国の展示会FMS（Future of Memory and Storage）向けの参考出展で、評価用サンプルを2026年8月中に業界パートナー向けに出荷するとしていました。

Samsung・SK hynix・MicronのCXL DRAM戦略と何が違うのか

Samsung・SK hynix・Micronは、CXL接続のメモリ拡張についても主にDRAMを使う方式を進めています。これに対し、キオクシアのXL1はNAND型フラッシュを土台にしている点が根本的に異なります。同社の事業全体像は「NAND型フラッシュを発明した本家。東芝メモリから独立した日本のメモリ大手」で扱っています。

DRAMそのものより速度は劣るものの、大容量化やコスト面での優位を活かせることがあり、メモリ御三家とは異なる立ち位置を狙う戦略だと言えます。

量産・出荷はいつ始まるのか

2026年9月時点で確認できる公式情報の範囲では、本格的な量産開始の具体的な時期は示されていません。8月の評価サンプル出荷を経て、業界パートナーの検証結果がどう出るかが、今後の量産移行を左右します。

この記事のまとめ

• キオクシアは2026年8月3日、低遅延フラッシュ「XL-FLASH」をCXL接続するメモリ拡張モジュール「XL1シリーズ」を発表し、評価用サンプルを8月中に業界パートナー向けに出荷すると説明した。
• 2026年9月3日の国内技術説明会では、XL1によってサーバーのメモリ容量を2倍、性能を3割高められると説明したと報じられた。
• XL-FLASHはKIOXIA公式の技術説明によれば、SLC動作時のリードレイテンシ5マイクロ秒以下、書き換え耐久性15万回以上とされる。
• Samsung・SK hynix・Micronのメモリ御三家がDRAM・HBMを軸とするのに対し、キオクシアはNAND技術を軸にDRAM代替を狙う独自路線を打ち出した。
• 量産・出荷の具体的な時期は、2026年9月時点で確認できる公式情報の範囲では示されていない。